Επικοινωνήστε μαζί μας.
200G QSFP56 έως 2QSFP55

200G QSFP56 έως 2QSFP55

Συναρμολόγηση παθητικού καλωδίου χαλκού QSFP56 με οκτώ διαφορικά ζεύγη χαλκού, παροχή τεσσάρων διαύλων μετάδοσης δεδομένων με ταχύτητες έως 56 Gbps (PAM4) ανά κανάλι, και ανταποκρίνεται στις απαιτήσεις 200G Ethernet και InfiniBand. Διατίθεται σε ένα ευρύ φάσμα των καλωδίων-από 26AWG έως 30AWG-αυτό χαμηλή απώλεια εισαγωγής και χαμηλή διασταύρωση ομιλία.

Το QSFP56 χρησιμοποιεί σήματα PAM4 για μετάδοση, το οποίο διπλασιάζει το ρυθμό. Ωστόσο, υπάρχουν αυστηρότερες απαιτήσεις για την απώλεια εισαγωγής καλωδίων. Για λεπτομερείς απαιτήσεις, δείτε τα χαρακτηριστικά υψηλής ταχύτητας.

Σχεδιασμένο για εφαρμογές στο κέντρο δεδομένων, δικτύωσης και τηλεπικοινωνιών που απαιτούν υψηλή ταχύτητα, αξιόπιστη συναρμολόγηση καλωδίων, Αυτό το επόμενο προϊόν μοιράζεται την ίδια διεπαφή ζευγαρώματος με τον συντελεστή μορφής QSFP, καθιστώντας το πίσω συμβατό με τους υπάρχοντες λιμένες QSFP.

Χαρακτηριστικά και οφέλη του 200G QSFP56 Breakout DAC 200G

  • Συμβατό με IEEE 802.3bj και IEEE 802.3cd

  • Υποστηρίζει συνολικά ποσοστά δεδομένων 200 Gbps (PAM4)

  • Βελτιστοποιημένη κατασκευή για την ελαχιστοποίηση της απώλειας εισαγωγής και διασταύρωσης

  • Σχεδιασμός διαφάνειας για την απελευθέρωση

  • 28AWG μέσω καλωδίου 30AWG

  • Διαθέσιμες διαμορφώσεις συναρμολόγησης

  • Προσαρμοσμένα όρια τερματισμού καλωδιακών πλεκτών ακτινοβολίας EMI

  • Προσαρμοσμένη χαρτογράφηση EEPROM για υπογραφή καλωδίων

  • Συμβατό RoHS



Εφαρμογές του 200G QSFP56 Breakout DAC:

  • Διακόπτες, διακομιστές και δρομολογητές

  • Δίκτυα Κέντρο Δεδομένων

  • Δίκτυα χώρου αποθήκευσης

  • Υπολογιστική υψηλής απόδοσης

  • Τηλεπικοινωνίες και ασύρματες υποδομές

  • Ιατρική διάγνωση και δικτύωση

  • Εξοπλισμός δοκιμής και μέτρησης

  • 200G Ethernet (IEEE 802.3cd)

  • InfiniBand

Προδιαγραφές του 200G QSFP56 έως 2x100G DAC 200G

Συνιστώμενη κατάσταση λειτουργίας
Περιγραφές
Χαρακτηριστικά υψηλής ταχύτητας

Παράμετρος

Σύμβολο

Μικρή

Μέγχος

Μονάδα:

Θερμοκρασία περίπτωσης λειτουργίας

Κορυφή

0

700

DegC

Θερμοκρασία αποθήκευσης

Ρύθμιση

-40.

855

DegC

Σχετική υγρασία (μη συμπύκνωση)

RS

355

60

%

Τάση τροφοδοσίας

VCC3

3.135

3.465

V

Τάση στην είσοδο LVTTL

Βίλβτλ

-0,3

VCC3 +0.2

V

Τροφοδοσία ρεύματος τροφοδοσίας

ICC3

- Τι;

151

MA

Συνολική κατανάλωση ενέργειας

Pd

- Τι;

0,05

Υ

Σημειώσεις:

Το άγχος ή οι συνθήκες υπερβαίνουν το παραπάνω εύρος μπορεί να προκαλέσει μόνιμη βλάβη στη συσκευή.

Πρόκειται για βαθμολογία τάσης μόνο και λειτουργική λειτουργία της συσκευής σε αυτές ή άλλες συνθήκες πάνω από εκείνες που απαριθμούνται στα επιχειρησιακά τμήματα της παρούσας προδιαγραφής δεν εφαρμόζεται. Η έκθεση σε απόλυτες ανώτατες συνθήκες διαβάθμισης για παρατεταμένες περιόδους μπορεί να επηρεάσει την αξιοπιστία της συσκευής.


Καρφίτσα

Λογική

Σύμβολο

Περιγραφή

1 .

- Τι;

GND

Εδάφη

2

ΧΜΛ-I

Τσίκο

Αντιστροφή εισόδου δεδομένων

3

ΧΜΛ-I

ΤΙΚΟ2p

Μη αναστροφή δεδομένων εισόδου πομπών

4

- Τι;

GND

Εδάφη

5

ΧΜΛ-I

ΤΖΕΣ4N

Αντιστροφή εισόδου δεδομένων

6

ΧΜΛ-I

Ζάκου4p

Μη αναστροφή δεδομένων εισόδου πομπών

7 .

- Τι;

GND

Εδάφη

0

LVTTL-I

ModSelL

Επιλογή ενότηταςComment

9.

LVTTL-I

ΕπαναφοράL

Επαναφορά ενότητας

100

- Τι;

Vcc Rx

3.3V δέκτης τροφοδοσίας

11

ΛΑΚΜΟΣ...

SCL

Ρολόι σειριακής διεπαφής 2-σύρματος


I/O



122

ΛΑΚΜΟΣ...

SDA

Δεδομένα σειριακής διεπαφής 2-σύρματος


I/O



131

- Τι;

GND

Εδάφη

14

ΧΜΛ-Ο

Rx3p

Έξοδος δεδομένων δεδομένων

151

ΧΜΛ-Ο

ΡΧ3

Αντιστροφή έξοδος δεδομένων παραλήπτης

16

- Τι;

GND

Εδάφη

11

ΧΜΛ-Ο

Rx1p

Έξοδος δεδομένων δεδομένων

18

ΧΜΛ-Ο

ΡΞ1

Αντιστροφή έξοδος δεδομένων παραλήπτης

199

- Τι;

GND

Εδάφη

20

- Τι;

GND

Εδάφη

21

ΧΜΛ-Ο

ΡΞ2ι

Αντιστροφή έξοδος δεδομένων παραλήπτης

22

ΧΜΛ-Ο

Rx2p

Έξοδος δεδομένων δεδομένων

23

- Τι;

GND

Εδάφη

242

ΧΜΛ-Ο

ΡΧ4ι

Αντιστροφή έξοδος δεδομένων παραλήπτης

25

ΧΜΛ-Ο

Rx4p

Έξοδος δεδομένων δεδομένων

262

- Τι;

GND

Εδάφη

277

LVTTL-O

ModPrsL

Παρουσίαση ενότητας

28

LVTTL-O

IntL

Διακοπή

299

- Τι;

Vcc Τσάκ

3.3V πομπός τροφοδοσίας τροφοδοσίας

300

- Τι;

Vcc1

3.3V τροφοδοσίας

31

LVTTL-I

LPMode

Λειτουργία χαμηλής ισχύος

323

- Τι;

GND

Εδάφη

333

ΧΜΛ-I

Ζάκο 3p

Μη αναστροφή δεδομένων εισόδου πομπών

344

ΧΜΛ-I

ΤΖΕ3ν

Αντιστροφή εισόδου δεδομένων

355

- Τι;

GND

Εδάφη

363

ΧΜΛ-I

Ζακ1p

Μη αναστροφή δεδομένων εισόδου πομπών

37

ΧΜΛ-I

ΤΖΑ1

Αντιστροφή εισόδου δεδομένων

388

- Τι;

GND

Εδάφη


Παράμετρος

Σύμβολο

Μικρή

Τυπική

Μέγχος

Μονάδα:

Σημείωση

Διαφορική αντίδραση

TDR

900

100 Αριθ.

10

Ζ

- Τι;

Απώλεια εισαγωγής

SDD21

-16.06.

- Τι;

- Τι;

DB

Σε 13,28 GHS

Διαφορική απώλεια απόδοσης

SDD11

SDD22

- Τι;

- Τι;

Βλέπε 1.

DB

Με 0,05 έως 4,1 GHS

- Τι;

- Τι;

Βλέπε 2.

DB

Σε 4,1 έως 19 GHS

Κοινή κατάσταση σε κοινή λειτουργία απώλεια απόδοσης εξόδου

SCC11

SCC22

- Τι;

- Τι;

-2

DB

Σε 0,2 έως 19 GHS

Διαφορετική σε κοινή κατάσταση

Απώλεια απόδοσης

SCD11

SCD22

- Τι;

- Τι;

Βλέπε 3.

DB

Στα 0,01 έως 12,89 GHS

- Τι;

- Τι;

Βλέπε 4.

Στα 12.89 έως 19 GHS

Διαφορετική σε κοινή λειτουργία

Απώλεια μετατροπής

SCD21-ΙΛ

- Τι;

- Τι;

-10

DB

Στα 0,01 έως 12,89 GHS

- Τι;

- Τι;

Βλέπε 5

Στα 12,89 έως 15,7 GHS

- Τι;

- Τι;

-6.3.

Σε 15,7 έως 19 GHS

Σημειώσεις:

1. Συντελεστής αντανάκλασης που δίνεται με εξίσωση SDD11(dB) < -16.5 2 × SQRT(f ), με f σε GHz.

2. Συντελεστής αντανάκλασης που δίνεται με εξίσωση SDD11(dB) < -10.66 14 ×logo10/5.5, με f σε GHz.

3. Συντελεστής αντανάκλασης που δίνεται με εξίσωση SCD11(dB) < -22 (20/25.78)*f, με f σε GHz

4. Συντελεστής αντανάκλασης που δίνεται με εξίσωση SCD11(dB) < -15 (6/25.78)*f, με f σε GHz

Συντελεστής αντανάκλασης που δίνεται με εξίσωση SCD21(dB) < -27 (29/22)*f, με f σε GHz


Pin Περιγραφές του 200G QSFP56 Breakout DAC 200G

Pin Descriptions of 200G QSFP56 Breakout DAC



Μηχανικές προδιαγραφές του 200G QSFP56 Breakout DAC 200G

Ο συνδετήρας είναι συμβατός με τις προδιαγραφές SFF-8436.


Mechanical Specifications of of 200G QSFP56 Breakout DAC


Μήκος (m)

Καλώδιο AWG

1 .

300

2

26/30

3

262



Ρυθμιστική συμμόρφωση του 200G QSFP56 Breakout DAC 200G

Χαρακτηριστικό

Μέθοδος δοκιμής

Επιδόσεις

Ηλεκτροστατική εκκένωση (ESD) στις ηλεκτρικές καρφίτσες

Μέθοδος MIL-STD-883C 3015.7

Κλάση 1 (> 2000 Volts)

Ηλεκτρομαγνητική παρεμβολή (EMI)

Κλάση FCC Β

Συμμόρφωση με τα πρότυπα

CENELEC EN55022 κατηγορία Β

CISPR22 ITE κατηγορία Β

RF Ασυλία (RFI)

IEC61000-43

Εμφάνιση συνήθως κανένα μετρήσιμο αποτέλεσμα από ένα 10V/m πεδίο από 80 έως 1000MHz

Συμμόρφωση RoHS

Οδηγία RoHS 2011/65/ΕΕ και οι οδηγίες τροποποίησης 6/6

RoHS 6/6


Έρευνα προϊόντος
Στείλτε μας Email αν ενδιαφέρεστε για προϊόντα και λύσεις επικοινωνίας οπτικών ινών. T&S
Συνιστώμενα προϊόντα
Εφαρμογές
Τεχνικά ιστολογία
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept